39 Perguntas e respostas importantes da entrevista sobre VLSI, VHDL e Verilog

Perguntas da entrevista sobre VLSI, VHDL e Verilog

1. Forneça o termo completo do VHDL.

1. Linguagem de Alta Definição
2. Linguagem de descrição de hardware de integração de altíssima velocidade
3. Linguagem de descrição muito alta
4. Linguagem de descrição de hardware com escalonamento de altíssima velocidade

Resp: 2) Linguagem de descrição de hardware de integração de altíssima velocidade

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2. Qual é o número de transistores de efeito de óxido metálico necessários para construir uma porta NOR de semicondutor de óxido metálico bicomplementar que tem duas entradas?

1. 5 MOSFETs
2. 6 MOSFETs
3. 7 MOSFETs
4. 8 MOSFETs

Resp: 3) 7 MOSFETs

“Como uma porta lógica é projetada em VLSI?” Encontre a resposta aqui!

3. Qual é o efeito do ‘Atraso’ se a tensão da fonte de alimentação aumentar?

1. Aumenta
2. Diminui
3. Continua o mesmo
4. O atraso não tem nada a ver com a fonte de alimentação.

Resp: 2) Diminui

4. O que é verdade sobre o design VLSI?

1. VLSI é um processo sequencial que possui ciclos de feedback.
2. VLSI é um processo paralelo que não possui ciclos de feedback.
3. VLSI é um processo sequencial e paralelo que possui ciclos de feedback.
4. VLSI é um processo sequencial que não possui ciclos de feedback.

Resp: 3) VLSI é um processo sequencial e paralelo que possui ciclos de feedback.

Para obter mais detalhes sobre as perguntas da entrevista da Verilog e outros tópicos como VLSI Design, Verifique isso!

5. Qual é a utilização de ferramentas CAD no projeto VLSI?

1. Ele automatiza o design do VLSI.
2. Reduz o tempo do ciclo de design.
3. Reduz a chance de erros.
4. Tudo acima.

Resp: 4) Todas as opções acima.

6. Qual tipo de produto é mais adequado para design baseado em FPGA?

1. Desenvolvimento de produtos em larga escala.
2. Aplicações de alta velocidade.
3. Desenvolvimento de protótipos.
4. Aplicações de baixa potência.

Resp: 3) Desenvolvimento de protótipo.

O que é Verilog? O que é o sistema Verilog? e outras perguntas e respostas da entrevista da Verilog são aqui!

7. Qual é a relação entre atraso de interconexão e atraso de porta?

1. A relação é dependente da tecnologia.
2. O atraso do portão é sempre maior que o atraso da interconexão.
3. O atraso de interconexão é sempre maior que o atraso do portão.
4. Eles são iguais.

Resp: 1) A relação depende da tecnologia.

8. Afirme verdadeiro ou falso

Declaração: Para um gráfico Y, os detalhes das informações do projeto aumentam quando movidos do centro para a periferia.

1. Verdadeiro
2. Falso

Resp: (2) Falso

9. Por que é preferível um dispositivo de canal curto?

1. É mais fácil de fabricar.
2. Possui menor consumo de energia.
3. Tem alta velocidade.
4. Possui melhores características de saída.

Resp: 3) Possui alta velocidade.

10. Onde a operação sublimiar do MOSFET encontra aplicações?

1. Recordações.
2. Carregar dispositivos acoplados.
3. Aplicações biomédicas.
4. Nenhuma das acima.

Resp: 3) Aplicações biomédicas.

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11. Qual é a relação entre a resistência ON do MOSFET e a tensão porta-fonte (Vgs)?

1. A resistência ON aumenta linearmente com Vgs.
2. A resistência ON diminui linearmente com Vgs.
3. A resistência ON aumenta exponencialmente com Vgs.
4. A resistência ON diminui não linearmente com Vgs.

Resp: 4) A resistência ON diminui não linearmente com Vgs.

12. Qual é a tensão limite de um EMOSFET?

1. Igual a 0 V.
2. Menos de 0 V.
3. Maior que 0 V.
4. Nenhuma das acima.

Resp: 3) Maior que 0 V.

13. Descubra o estranho.

1. Modulação de comprimento de canal
2. Condução Subliminar
3. Efeito transportador quente.
4. Efeito Corporal

Resp: 4) Efeito corporal. (Todas as outras opções são 2^nd efeito de ordem).

14. Como a densidade de dopagem muda para escala de tensão constante?

1. Aumenta por um fator de s
2. Aumenta por um fator de s2.
3. Diminui por um fator para s.
4. Diminui por um fator para s2.

Resp: 2) Aumenta por um fator de s2.

15. Como ocorre a dissipação de energia para escala total?

1. Aumenta por um fator de s
2. Aumenta por um fator de s2.
3. Diminui por um fator para s.
4. Diminui por um fator para s2.

Resp: 3) Diminui por um fator de s2.

16. Como ocorre a dissipação de energia para o escalonamento de tensão constante?

1. Aumenta por um fator de s
2. Aumenta por um fator de s2.
3. Diminui por um fator para s.
4. Diminui por um fator para s2.

Resp: 1) Aumenta por um fator de s.

17. Qual é a principal vantagem do inversor NMOSFET com carga de esgotamento sobre a carga EMOSFET?

1. Menos dissipação de energia
2. Processo de fabricação mais fácil
3. Transições Vtc mais nítidas e melhores margens de ruído.
4. Nenhuma das acima.

Resp: 3) Transições Vtc mais nítidas e melhor margem de ruído.

18. Por que o polissilício é usado como portão no MOSFET?

1. Porque é um semimetal.
2. Porque tem treliça combinando com Silicone
3. Porque é mais fácil de fabricar.
4. Nenhuma das acima.

Resp: 2) Porque possui treliça combinando com silicone.

19. Afirme verdadeiro ou falso

Declaração: Em escala total, a magnitude do campo elétrico é constante.

1. Verdadeiro
2. Falso

Alternativa? (1). Verdadeiro

20. Qual das afirmações fornecidas é verdadeira em relação a um inversor MOSFET?

1. Um PMOSFET e um resistor são necessários para implementar um inversor MOSFET.
2. Um NMOSFET e um resistor são necessários para implementar um inversor MOSFET.
3. Dois PMOSFETs.
4. Dois NMOSFETs.

Resp: 2) Um NMOSFET e um resistor são necessários para implementar um inversor MOSFET.

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21. De quais fatores depende a dissipação de potência de um inversor CMOS?

1. Tensão fornecida.
2. Largura do canal do NMOSFET.
3. Largura do canal do PMOSFET.
4. Tudo acima.

Resp: 1) Tensão fornecida

22. Afirme verdadeiro ou falso

Declaração: Os transistores PMOS atuam como rede Pull-up em um inversor CMOS.

1. Verdadeiro
2. Falso

Alternativa? (1). Verdadeiro

23. Qual dos seguintes efeitos não contribui para desviar a situação ideal de um circuito espelho de corrente?

1. Efeitos DIBL.
2. Deslocamento de limite entre dois transistores
3. Modulação de comprimento de canal
4. Combinação geométrica imperfeita.

Resp: 1) Efeitos DIBL.

24. O que contém a biblioteca de células ASIC?

1. O layout físico das células
2. Modelo de roteamento das células
3. Modelo de temporização das células
4. Tudo acima.

Resp: 1) Disposição física das células.

25. Por que ocorre o menor atraso de propagação através de uma porta?

1. Devido a – transistor forte, alta temperatura, alta tensão.
2. Devido a – forte transistor, baixa temperatura, alta tensão.
3. Devido a – Transistor fraco, alta temperatura, alta tensão.
4. Devido a – transistor fraco, baixa temperatura, baixa tensão.

Resp: 3) Devido a – Transistor fraco, alta temperatura, alta tensão.

26. Qual das afirmações a seguir é verdadeira sobre o projeto lógico VLSI?

1. VLSI minimiza a área e o atraso
2. VLSI minimiza a área ao custo do atraso
3. VLSI maximiza a velocidade diminuindo a área
4. VLSI minimiza o atraso reduzindo a área

Resp: 2) O VLSI minimiza a área ao custo do atraso.

27. O que é uma macro rígida?

1. Bloco Flexível
2. Bloco Fixo
3. Bloco flexível com proporção fixa
4. Bloco flexível com proporção flexível

Resp: 2) Bloco Fixo

28. Afirme verdadeiro ou falso

Declaração: A forma completa do SPICE é – Programa de Simulação com Ênfase em Circuitos Integrados.

1. Verdadeiro
2. Falso

Alternativa? (1). Verdadeiro

29. Qual é o circuito equivalente para comparador CMOS?

1. CMOS OPAMP não compensado.
2. CMOS OPAMP compensado.
3. CMOS OPAMP parcialmente compensado.
4. Nenhuma das opções acima é verdade.

Resp: 1) CMOS OPAMP não compensado.

30. Qual é a relação entre a resistência equivalente de um capacitor chaveado e a frequência do clock?

1. A resistência é proporcional à frequência do clock.
2. A resistência é inversamente proporcional à frequência do clock.
3. A resistência é proporcional ao quadrado da frequência do clock.
4. A resistência é inversamente proporcional ao quadrado da frequência do clock.

Resp: 2) A resistência é inversamente proporcional à frequência do clock.

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31. Qual é a relação entre a resistência equivalente de um capacitor chaveado e a capacitância?

1. A resistência é proporcional à capacitância.
2. A resistência é inversamente proporcional à capacitância.
3. A resistência é proporcional ao quadrado da capacitância.
4. A resistência é inversamente proporcional ao quadrado da capacitância.

Resp: 2) A resistência é inversamente proporcional à capacitância.

32. Qual a condição para o domínio da Corrente de Difusão?

1. Inversão Forte
2. Inversão Fraca
3. Inversão forte e fraca.
4. Não pode ser determinado.

Resp: 2) Inversão Fraca.

33. Qual é a condição para o domínio da corrente de deriva?

1. Inversão Forte
2. Inversão Fraca
3. Inversão forte e fraca.
4. Não pode ser determinado.

Resp: 1) Inversão Forte.

34. Afirme verdadeiro ou falso

Declaração: No espelho de corrente cascode, a resistência de saída é aumentada.

1. Verdadeiro
2. Falso

Alternativa? (1). Verdadeiro

35. Afirme verdadeiro ou falso

Declaração: Um circuito de espelho de corrente pode ser usado como um amplificador de corrente aumentando as relações (W/L) do MOSFET espelhado e de origem

1. Verdadeiro
2. Falso

Alternativa? (1). Verdadeiro

36. Quais conexões de NMOS em PDN ajudam a concretizar os termos AND?

1. Conexão em cascata
2. Conexões anti-paralelas
3. Conexões em série
4. Conexões Paralelas

Resp: 3) Conexões em série

37. Que tipo de transistor pode passar perfeitamente o valor lógico alto, mas não o valor lógico baixo?

1. NMOSFET
2. PMMOSFET
3. CMOS
4. Nenhuma das alternativas anteriores

Resp: 2) PMOSFET

38. Qual é o número mínimo de transistores necessários para projetar uma porta XOR?

1. Três
2. Quatro
3. Cinco
4. Seis

Resp: 4) Seis

39. Que tipo de projeto lógico fornece o atraso mínimo de propagação?

1. Lógica Acoplada ao Emissor
2. Lógica do transistor do transistor
3. Registrar lógica de transistor
4. Lógica de transistor de diodo

Resp: 1) Lógica Acoplada ao Emissor

40. Afirme verdadeiro ou falso

Declaração: A lógica CMOS dinâmica opera usando dois pulsos de clock não sobrepostos.

1. Verdadeiro
2. Falso

Alternativa? (2). Falso.

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Sudipta Roy

Olá, meu nome é Sudipta Roy. Eu fiz B. Tecnologia em Eletrônica. Sou um entusiasta da eletrônica e atualmente me dedico à área de Eletrônica e Comunicações. Tenho grande interesse em explorar tecnologias modernas, como IA e aprendizado de máquina. Meus escritos são dedicados a fornecer dados precisos e atualizados a todos os alunos. Ajudar alguém a adquirir conhecimento me dá imenso prazer.
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